Nano-Semiconductors

307DRAM Technology

19. Kim, J. Y., C. S. Lee, S. E. Kim, I. B. Chung, Y. M. Choi, B. J. Park, J. W. Lee, D. I.

Kim, Y. S. Hwang, D. S. Hwang, H. K. Hwang, J. M. Park, D. H. Kim, N. J. Kang, M. H.

Cho, M. Y. Jeong, H. J. Kim, J. N. Han, S. Y. Kim, B. Y. Nam, H. S. Park, S. H. Chung,

J. H. Lee, J. S. Park, H. S. Kim, Y. J. Park, and K. Kim. 2003. The breakthrough in data

retention time of DRAM using recess-channel-array transistor (RCAT) for 88nm feature

size and beyond. Symp. VLSI Tech. Dig., pp. 11–12.

20. Kim, J. Y., H. J. Oh, D. S. Lee, D. H. Kim, S. E. Kim, G. W. Ha, H. J. Kim, N. J. Kang,

J.M. Park, Y. S. Hwang, D. I. Kim, B. J. Park, M. Huh, B. H. Lee, S. B. Kim, M. H. Cho,

M. Y. Jung, Y. I. Kim, C. Jin, D. W. Shin, M. S. Shim, C. ...